近日，西安电子科技大学郝跃院士团队常晶晶教授、高香香博士在新型氧化碲电子器件制备、表征与应用方面取得新进展，研究成果以“Novel Tellurium Oxide-Based Electronic Devices: Preparation, Characterization and Applications”为题，已被材料科学领域顶级期刊《Advanced Functional Materials》( IF 19 )接收。西安电子科技大学为论文唯一作者单位，信息交叉学部高香香博士为论文第一作者，常晶晶教授、高香香博士为论文通讯作者。

随着材料科学与信息技术的深度融合，电子器件领域正经历前所未有的材料和技术创新。随着摩尔定律逐渐接近其物理极限，探索具有多物理场耦合能力的新型功能材料已成为突破性能瓶颈的关键途径。在众多新兴候选材料中，基于氧化碲的电子器件因其独特的多物理场耦合特性而受到广泛关注，为器件设计和多功能实现提供了新的视角。氧化碲表现出宽禁带、可调缺陷态、高载流子迁移率和固有热电特性，使其成为高性能晶体管、电阻存储器、宽谱光电探测器、逻辑门以及类脑计算有前景的候选材料。基于氧化碲的光电子器件通过光脉冲与电信号的协同控制实现动态可逆的电导调制，从而模拟生物系统中的突触权重更新机制。当与神经网络架构深度集成时，能够构建具有在线学习功能的类脑计算系统，在图像识别和分类等任务中表现出低功耗和高并行性的优势。

本研究系统地分析了近年来基于氧化碲的电子器件在材料制备、带隙工程、晶相控制、异质集成，以及晶体管、忆阻器、宽带光电探测、逻辑门和类脑计算等器件应用。通过建立“材料-结构-性能”的关联图，旨在为相关领域的研究人员提供一个兼具理论深度与技术前瞻性的研究框架，加速下一代高集成度、低功耗电子器件的创新。

论文链接：http://advanced.onlinelibrary.wiley.com/doi/epdf/10.1002/adfm.202526894

10.1002/adfm.202526894